功能描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：879pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：16W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：15.1 毫欧 @ 8A， 8V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-WSON（2x2）

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

标准包装：1

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